ASE、AMD Veniceパネルレベル実装の初期生産を2027年第1四半期に開始へ
ASEがAMD次世代CPU「Venice」向けパネルレベル実装を公開し、2027年第1四半期の初期生産を目指す。310mmパネルにインターポーザー25個搭載。台湾はPTIの4億ドルシンガポール工場投資も認可した。
AI要約AI
- 310ミリ×310ミリのパネルにはVenice用インターポーザー25個が載り、円形ウェハーの22個を約14%上回る
- ASEと子会社SPILはVeniceに第2世代のFOEB技術を実装し、レチクルフィールド2.7個分のインターポーザーを採用した
- PTIはBroadcomとの合弁で4億米ドルのシンガポール工場を設立し、2028年の生産開始を目指す
- TSMCはCoPoS基盤を2027年に開発完了し、2028年に立ち上げる計画を示している
正方形パネルにVeniceインターポーザー25個
Advanced Micro Devices(AMD)の次世代サーバー向けCPU「Venice」向けに組み上げたパネルレベル実装の装置一式を、ASE Technology HoldingがOpen Compute Projectのサミットで公開した。初期生産の時期は2027年第1四半期を目指す。半導体調査会社のSemiAnalysisが10月28日にXへ投稿した内容によると、初期の生産はASEの高雄拠点で限定的な規模から始まる見込みだという。パネルレベル実装は、先端パッケージの作業面を円形ウェハーから正方形パネルへ置き換える方式だ。正方形のチップやインターポーザーを正方形のパネルに並べると端に出る廃棄面積が減り、1回の処理でより多くのユニットを載せられる。生産量が伸びるほど単位あたりのコストは下がる仕組みだ。
SemiAnalysisの説明によれば、ASEは子会社のSPILとともにAMDと協業し、Veniceに第2世代のファンアウト組み込みブリッジ(FOEB)技術を実装した。インターポーザーは1つのパッケージ内で複数のダイを接続する基盤層で、この設計ではレチクルフィールド2.7個分の大きさを持つ。310ミリ×310ミリのパネル1枚に、端の損失を差し引いてもVenice用インターポーザー25個が載る。従来の300ミリ円形キャリアでは22個なので、1バッチあたり約14%の増産になる。ただしSemiAnalysisはこの利得をコスト面の突破口ではなく出発点と位置づけている。インターポーザーが大きくなるほど差は開き、レチクルフィールド9.5個分の設計ではパネルあたり9個に対してウェハーあたり4個となり、約2.25倍に達する。ただしこの段階には、より大きなパネルとレチクルフィールドに対応する装置の成熟が前提となる。VeniceはAMDの第6世代EPYCサーバー向けプロセッサだ。AMDは5月に、台湾半導体製造会社(TSMC)の2ナノメートル工程で生産の立ち上げが始まったと明かした。ASE側の5月時点のガイダンスは量産を2027年上半期としていたが、今回の調査ノートは開始時期を第1四半期まで絞り込んでいる。
PTI、4億ドルのシンガポール工場を認可される
台湾経済部投資審査委員会は10月28日、半導体後工程大手のPowertech Technology(PTI、6239)による4億米ドル(約128億台湾ドル)の投資を承認した。PTIはシンガポールにXCIP TECHNOLOGIES PTE. LTD.を設立し、パネルレベルの先端実装、組立、最終検査のサービスを手がける。今回の認可は、PTIが7月16日にBroadcomとの合弁を取締役会で承認した際に付されていた規制上の条件を満たすものだ。合弁の柱は、チップの配線をパッケージ基板側につなぎ直す再配布層のうち、微細ライン技術だ。
合意では、Broadcomが過半の株式を取得して工場を主導し、PTIは持分を半分以下に抑えたうえで運営と量産を担う見通しだ。工場は早ければ2026年末に着工し、2028年に生産に至る可能性がある。狙う市場はコーパッケージドオプティクスで、高速なデータ伝送のために光エンジンをスイッチング半導体の脇に置く方式への需要が背景にある。持ち分比率の最終配分と合弁の総額は、両社とも公表していない。PTIはDRAMやNAND型フラッシュメモリーの実装と検査を基盤に事業を築いてきたが、メモリー市況の循環への依存を減らすため、ファンアウト型パネルレベル実装(FOPLP)やヘテロジニアス統合といったパネルレベル業務を戦略的な優先事項に据えている。シンガポール計画はこの転換を資本へ移す動きだ。稼働する生産ラインが確保できれば、メモリー向けサービスから、カスタムAIアクセラレーターや高耐久ロジックチップのサプライチェーンへと裾野が広がる。Broadcom自身もこの領域で、クラウド顧客向けにASICとスイッチング事業を拡大しているところだ。スケジュールは業界全体の整備とも重なる。TSMCはパネルレベル平台のCoPoSについて、2027年までに開発を完了し2028年に立ち上げる方針を示しており、組立・検査のパートナー企業が主導する。ガラス基板の検証はIbiden、Innoluxと並行して進んでいる。
2つの発表は、別個の賭けではなく一連の設備投資として読むべきものだ。ASEの2027年第1四半期開始とPTIの2028年生産は、いずれもTSMCが自社のパネルレベル移行に設定した期間の中に収まる。つまり2027年から2028年にかけて、この種の生産能力がサプライチェーン全体で一斉に姿を見せることになる。SemiAnalysisが示した収支構造も、この順序を裏付ける。Veniceでの14%の密度利得はあくまで基礎線であり、収益はより大きなインターポーザーと装置の成熟後に初めて出てくる。PTIにとって今回の認可は、メモリーの市況に形作られてきた検査企業を、AI用ASIC実装の供給候補へ変える一歩だ。需要の当て所はDRAM価格ではなく、Broadcomのクラウド顧客となる。
AIによって生成され、AIによるレビューを経て、COINOTAGの編集監督のもとで公開されました。

